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mos管選型 常用mos管參數表大全 詳解

年轻的母亲信息來源:本站 日期:2017-06-07 

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MOS管選型

最近在推MOS管的過程中,遇到一些問題,最主要的是一個品牌交換參數的對應問題,很多時分我們只關注了電流電壓滿足請求,性能上的比擬我們很少做比擬,供大家參考:


與系統相關的重要參數:


MOS管年轻的母亲選擇方面,系統請求相關的幾個重要參數是:


年轻的母亲 1. 負載電流IL。它直接決議于MOSFET的輸出才能;


年轻的母亲 2. 輸入—輸出電壓。它受MOSFET負載占空比才能限制;


3. mos開關頻率FS。這個參數影響MOSFET開關霎時的耗散功率;


4. MOSFET最大允許工作溫度。這要滿足系統指定的牢靠性目的。


年轻的母亲 MOSFET設計選擇:

一旦系統的工作條件(負載電流,開關頻率,輸出電壓等)被肯定,功率MOSFET在參數方面的選擇如下:


年轻的母亲 1 RDSON的值。最低的導通電阻,能夠減小損耗,并讓系統較好的工作。但是,較低電阻的MOSFET較高電阻器件。


年轻的母亲 2 散熱。假如空間足夠大,能夠起到外部散熱效果,就能夠以較低本錢取得與較低RDSON一樣的效果。也能夠運用外表貼裝MOSFET到達同樣效果,詳見下文第15行。


年轻的母亲 3 MOSFET組合。假如板上空間允許,有時分,能夠用兩個較高RDSON的器件并聯,以取得相同的工作溫度,并且本錢較低。


計算MOSFET的功率損耗及其殼溫:

在MOSFET工作狀態下,有三局部功率損耗:


年轻的母亲 1. MOSFET在完整翻開以后(可變電阻區)的功率損耗:PON=ILoad2 × RDSON ×占空比ILoad為最大直流輸出電流。


2. MOSFET在翻開上升時功率損耗:PTRON= (ILoad × VDS × Tr ×FS)/ 2


3. MOSFET在截止狀態下的功耗:PTRON= (ILoad × VDS × Tf ×Fs)/ 2


其中:Tf 是MOSFET的降落時間。


年轻的母亲 在連續形式開關調理器中,占空比等于 Vout/Vin。


年轻的母亲 VDS是漏源之間的最大電壓,關于非同步轉換器,VDS=VIN+VOUT 。關于一個同步轉換器,升壓MOSFET的VDS=VIN ,降壓MOSFET則是VDS=VF 。其中VF是肖特基勢壘的正向壓降。


我們如今能夠計算MOSFET的溫度。器件的結溫可表示為TA+(PD × θCA)或TA+(PD × θSA)。其中,TA 為環境溫度,PD是上述1、2、3項的功耗之和,θCA是由管殼到環境的導熱系數,QSA則是從熱沉到環境的導熱系數。這些公式,都是假定從結到管殼的導熱系數(~1℃/W)與其他熱阻相比是負的。


年轻的母亲 沒有一個簡單的辦法去選擇MOSFET與熱沉分離,使本錢最低。由于這里有多種設計選擇合適于變換器系統設計母板。但是,表2中的電子數據,為母板設計員給出了一種便當,便于剖析各種選擇,包括正確選擇性能和低本錢的折中。該數據表曾經被收進各種電子文本。該數據表標明了兩種選擇辦法:

1)飛兆FDP7030L 型MOSFET,合適于升壓與降壓應用;
2)飛兆FDP6030L 型MOSFET,同樣合適于升壓和降壓應用。現將這份數據表內容依照行序列分別解釋如下:

年轻的母亲 1 升壓應用的MOSFET導通電阻值RDSON,來源于MOSFET數據手冊;


2 FET的上升時間,來源于MOSFET數據手冊;


3 FET的降落時間,來源于MOSFET數據手冊。設計者應該留意到,這個數據表為產品標準書中的上升和降落時間,實踐觀測到的可能會大兩倍,所以,開關時間的損耗可能會大大地小于計算出來的。


4 降壓MOSFET的導通電阻值RDSON,來源于MOSFET數據手冊


5 最大負載電流,決議于應用;


年轻的母亲 6 最高環境溫度,例如40℃;


7 最高管殼溫度。這里是指在比擬平安的工作狀態下,其溫度不超越100℃;


8 開關頻率的值。雖然較高的開關頻率招致較大的功耗,這個數值也被其他諸如輸出電流等參數所限制。此參數的典型值的范圍在200KHZ到300KHZ之間;


年轻的母亲 9 FET的輸入電壓。允許范圍在5V—12V之間;


10 輸出電壓值。輸出和輸入電壓決議了導通時間;


11 占空比。這是一個不肯定的范圍,關于降壓應用的MOSFET來說,占空比可用(1—VIN/VOUT)來表示。


年轻的母亲 12 升壓應用的功率MOSFET總功耗計算包括了開關霎時脈沖和導通時的兩局部功率;


年轻的母亲 13 降壓應用MOSFET的總功耗;


年轻的母亲 14 熱阻。這計算顯現,關于升壓MOSFET,為了滿足最高殼溫請求,需求如此大的熱沉,各種條件列表給出;


15 升壓應用的MOSFET的熱沉(散熱片)引薦。這一欄給出了與熱阻匹配的典型的散熱片。

年轻的母亲 留意:這一欄沒有經過計算,并且必需運用中被考證;


16 降壓應用的MOSFET的熱阻;


17 降壓應用的MOSFET的。熱沉(散熱片)引薦。


mos管選型

Part Numbe ID(A) VDSS(V) RDS(ON)(Ω
KIA4N60H 4 600 2.7
KIA840S 8 500 0.9
KIA3508A 70 80 0.012
KIA3407A 80 70 0.011
KIA2803A 150 30 0.003
KNB3308A 80 80 0.09
KNB1906B 230 60 0.0035
KIA7610A 25 100 0.038
KIA8606A 35 60 0.02
KIA100N03A 50 30 0.009
KIA2N60H 2 600 5
KND4360A 4 600 2.3
KIA6N70H 5.8 700 2.3
KIA6035A  11 350 0.48
KIA6110A 15 100 0.11
KND9130A 40 30 0.0105
KIA3302 85 20 0.0055
KIA23P10A  -23 -100 0.078
KIA35P10A -35 -100 0.042
KPD8610A -35 -100 0.55
KIA4820N  9 200 0.4
KIA10N65 10 650 0.75
KIA12N60H 12 600 0.65
KIA18N50H 18 500 0.32
KIA40N20A 40 200 0.1
KNY3103A  110 30 0.0026
KIA2300 6 20 0.03
KIA2312 5 20 0.031
KIA3414 4.2 20 0.05
KIA2301 -2.8 -20 0.12
KIA2305 -3.5 -20 0.055
KIA3401 -4 -30 0.06
KIA3407 -4.1 -30 0.06
KIA3415 -4 -16 0.045
KIA3423 -2 -20 0.092
KIA4706A 8 60 0.01
KIA6706A 18 60 0.0075
KIA7306A 22 60 0.0055
KIA4435 -10.5 -30 0.018
KIA8822 7 20 0.24
KIA6968E 6.5 20 0.024
KIA7805 30 1.5A 5.2
KIA1117-ADJ 12 1000 -1.25
KIA133 12 500 3.33
KI341 36 350 2.513
KIA65R950U 5 650 0.95
KCD4560A 5.4 600 0.9
KIA60R380DS 11 600 0.38
KCP7610A 20 600 0.19
KCX9860A 47 600 0.081
KCX3560A 76 600 0.42
KCX3650A 60 500 0.56
KCX3250A 100 500 0.031
KIA5610 5.4 100 0.31
KND2803B 150 30 0.0028
KIA3409 -2.6 -30 0.13
KIA2300 6 20 0.03
KIA2304 2.5 30 0.057
KIA08060V1 8 600 1.8
KIA10120V1 10 1200 2
KIA20065V1 2 650 1.8
KIA04TB60 4 600 35ns
KIA06TB60D  8 600

25ns

KIA60TB20 60 200

40ns

KIA100TB120 100 1200

150ns



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