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mos器件漏極偏壓詳解原因 n溝道MOSFET

信息來源:本站 日期:2017-07-06 

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MOSFET按比例減少MOSFET尺寸的縮減在一開端即為一持續的趨向.在集成電路中,較小的器件尺寸可到達較高的器件密度,此外,較短的溝道長度町改善驅動電流(ID~1/L)以及工作時的特性,但是,由于電子器件尺寸的縮減,溝道邊緣(如源極、漏極及絕緣區邊緣)的擾動將變得愈加重要,因而器件的特性將不再恪守長溝道近似的假定.



MOSFET按比例減少標準


當器件尺寸縮減時,必需將短溝道效應降至最低水平,以確保正常的器件特性及電路工作,在器件按比例減少設計叫需求一些原則,一個扼要維持長溝道特性的辦法為將一切的尺寸及電壓,除上一按比例減少要素k(>1),如此內部電場將堅持好像長n溝道MOSFET普通,此辦法稱為定電場按比例減少.


不同器件參數與電路特性因子的定電場按比例減少的標準,隨器件尺寸的縮減,其電路性能(速度以及導通時的功率損耗)得到增強.但是,在實踐的IC制造中,較小器件的內部電場常常被迫增加而很難堅持固定.這主要是由于一些電壓因子(如電源供給、閾值電壓等)無法恣意縮減,由于亞閾值擺幅是無法被按比例減少的,所以,假若閾值電壓過低,則關閉態(offstate)(VG=0)的漏電流將會顯著增加,因而,待機功率(standbypower)損耗也將隨之上升。經過按比例減少標準,方能制造出具有溝道長度短至20nm、十分高的跨導(>1000ms/mm)以及合理的亞閾值擺幅(約120mV/decade)的MOSFET,



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